三星量产eMRAM存储器:比eFlash快1000倍,功耗更低

2019-3-7 10:46  |  作者:唐裕之   |  关键字:三星,eMRAM,NAND

三星存储最近动作不断。在MWC 2019展会期间宣布量产容量高达512GB的eUFS 3.0存储芯片。而在昨天又宣布量产首款商用eMRAM存储芯片,将为存储芯片市场带来新的活力。

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三星在昨日宣布正式量产首款商用的eMRAM(嵌入式磁随机存取存储器),采用三星的28FDS(28nm FD-SOI,耗尽型绝缘层上硅)工艺制造。作为常用的eFlash闪存技术的发展到了瓶颈期,这种基于电荷存储方式的存储器已经面临了很多挑战。而eMRAM作为基于电阻的存储方式在非易失性,随机访问等方面拥有比eFlash更好的表现。

eMRAM利用磁致电阻的变化表示二进制0或1,通过测量一个存储单元的电阻来实现读取操作。这种芯片拥有SRAM的高速读取能力和DRAM的高集成度。同时由于其特殊的存储方式,所以也拥有非常高的P/E次数??晌轿蠢醋詈玫拇娲⑿酒≡?。三星宣称他们基于28FDS工艺的eMRAM技术能提供更低的成本和功耗,在写入速度上也更具优势。其物理特性决定在写入数据前不需要擦除周期,写入速度比现在的eFlash快1000倍。eMRAM在工作时电压比eFlash更低,所以功耗更低。


三星展示eMRAM结构


工作原理

三星能将eMRAM的成本控制得较低的原因是这次他们可以轻松地与现有逻辑芯片制造工艺进行集成,仅需要在流程工艺后端添加少量的几个层即可完成制造。通过这种??榛纳杓萍瓤梢韵硎芟钟兄圃旃ひ沾吹牡统杀居攀?,又可以享受到新技术带来的性能提升。

三星宣布将在今年扩大其高密度非易失性存储器解决方案的选择范围,包括在今年推出1Gb的eMRAM的测试芯片。而在此之前,Intel也在不久前宣布他们也已做好eMRAM芯片的大批量生产的准备。随着存储器大厂逐渐开始量产eMRAM芯片,不久后我们将能够用上这种低功耗高性能的存储芯片。

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  • 游客  03-07 17:23

    1000倍,这速度都TB级了。我能问句内存的速度跟上了吗?TB级的速度都是L1才能做到啊 ...

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    三元增大官网:9#

  • cnbeta博士 03-07 16:39

    Intel:1000倍性能,1000倍密度,1000倍寿命

    三星:学到了,我也先吹了牛逼先

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    8#

  • 游客  03-07 16:38

    ¥1元/TB,先做到再说。

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    7#

  • QQ23870862终极杀人王 03-07 16:15

    三星技术怎么这么牛?

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    6#

  • 游客  03-07 16:06

    瞎吹,这么牛逼做不出来1000x敢接受群操不?

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    5#

  • 游客  03-07 12:32

    这么喜欢学英特尔的1000倍?傲腾两个1000倍、一个10倍什么时候实现?

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    4#

  • horeaper大学生 03-07 12:14

    厚,MRAM已经量产了??

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    3#

  • JaxonLau一代宗师 03-07 11:27

    会用在手机和SSD上吗?

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    2#

  • 游客  03-07 11:21

    我有话要说...

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    1#

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