• 三星量产eMRAM存储器:比eFlash快1000倍,功耗更低

    唐裕之 发布于2019-03-07 10:46 / 关键字: 三星, eMRAM, NAND

    三星在昨日宣布正式量产首款商用的eMRAM(嵌入式磁随机存取存储器),采用三星的28FDS(28nm FD-SOI,耗尽型绝缘层上硅)工艺制造。作为常用的eFlash闪存技术的发展到了瓶颈期,这种基于电荷存储方式的存储器已经面临了很多挑战。而eMRAM作为基于电阻的存储方式在非易失性,随机访问等方面拥有比eFlash更好的表现。

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  • TSMC进军存储芯片:不搞NAND、DRAM,要玩eMRAM/eRRAM

    bolvar 发布于2017-06-05 11:17 / 关键字: TSMC, eMRAM, eRRAM, 存储芯片, 三星

    上海快3直播 www.y3vi1.cn 在半导体业界,Intel、三星及TSMC三足鼎立,虽然他们在先进的制程工艺上竞争激烈,但实际上三方的直接竞争并不多,Intel的处理器基本是自产自销,三星跟TSMC在代工上有竞争,但是TSMC一家占据全球60%的代工份额,三星半导体更重要的是NAND、DRAM闪存。早前TSMC表态不会进入NAND、DRAM等标准型存储芯片市场,但不代表他们不做存储芯片,最近他们公开了研发多年的eMRAM及eRRAM存储芯片,最近今年底就开始试产,未来一两年量产。

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